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¼¼°è¿¡³ÊÁö À§±â°¡ ½É°¢ÇØÁü¿¡ µû¶ó Àç»ý¿¡³ÊÁöÀÇ ¼ö¿ä°¡ ¾î´À ¶§º¸´Ùµµ Áõ°¡Çϰí ÀÖ½À´Ï´Ù. Àç»ý¿¡³ÊÁö´Â ¹Ù¶÷, ¼ö¼Ò, ¹ÙÀÌ¿À¸Å½º, Áö¿, ÅÂ¾ç¿ µîÀ¸·ÎºÎÅÍ ¾òÀ» ¼ö ÀÖÀ¸¸ç ¿¡³ÊÁö º¯È¯ µð¹ÙÀ̽ºµéÀÌ Àç»ý¿¡³ÊÁö ±â¼ú½ÃÀåÀ» ±¸¼ºÇϰí ÀÖ½À´Ï´Ù. žçÀüÁö ¹× Àü·Â µð¹ÙÀ̽º´Â ¹ÝµµÃ¼ °øÁ¤°ú ¿¬°üµÇ¾î ÀÖ½À´Ï´Ù.
ž翡³ÊÁö´Â Àç»ý¿¡³ÊÁöÀÇ ´ëÇ¥ ¿¡³ÊÁö·Î Plasma-ThermÀº žçÀüÁö etch ¹× PECVD Á¦Ç°°ø±Þ¿¡ Âü¿©Çϰí ÀÖ½À´Ï´Ù.
Plasma-Therm Àåºñ´Â ¿þÀÌÆÛ ±Ô¸ðÀÇ Å¾籤(PV) ¹× ÁýÁß Å¾籤(CPV) ¹æ½ÄÀÇ ÀüÁö»ý»ê¿¡ ¼ö³â°£ »ç¿ëµÇ¾î ¿Ô½À´Ï´Ù. Silicon oxide and nitride deposition »Ó¸¸ ¾Æ´Ï¶ó °Ô¸£¸¶´½(Ge) etching, gallium arsenide (GaAs) etching, µµÇÎ ¹× Áø¼º ½Ç¸®ÄÜ, ºñÁ¤Áú ½Ç¸®ÄÜ È¤Àº ¸¶ÀÌÅ©·Î °áÁ¤ ½Ç¸®ÄÜÀ» Æ÷ÇÔÇÑ Å¾籤 ½ÃÀå¿¡ Á¦Ç°À» °ø±ÞÇϰí ÀÖ½À´Ï´Ù.
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- III-V materials
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R&D ¹× »ý»ê¶óÀÎDeposition
- ºñÁ¤Áú ½Ç¸®ÄÜ(Amorphous silicon)
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- Silicon Oxide
- Silicon Nitride
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