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Àç»ý¿¡³ÊÁö ½ÃÀåÀ» À§ÇÑ Á¦Ç° ¼Ö·ç¼Ç1
 
 

Àç»ý¿¡³ÊÁö

¼¼°è¿¡³ÊÁö À§±â°¡ ½É°¢ÇØÁü¿¡ µû¶ó Àç»ý¿¡³ÊÁöÀÇ ¼ö¿ä°¡ ¾î´À ¶§º¸´Ùµµ Áõ°¡Çϰí ÀÖ½À´Ï´Ù. Àç»ý¿¡³ÊÁö´Â ¹Ù¶÷, ¼ö¼Ò, ¹ÙÀÌ¿À¸Å½º, Áö¿­, ž翭 µîÀ¸·ÎºÎÅÍ ¾òÀ» ¼ö ÀÖÀ¸¸ç ¿¡³ÊÁö º¯È¯ µð¹ÙÀ̽ºµéÀÌ Àç»ý¿¡³ÊÁö ±â¼ú½ÃÀåÀ» ±¸¼ºÇϰí ÀÖ½À´Ï´Ù. žçÀüÁö ¹× Àü·Â µð¹ÙÀ̽º´Â ¹ÝµµÃ¼ °øÁ¤°ú ¿¬°üµÇ¾î ÀÖ½À´Ï´Ù.

ž翡³ÊÁö´Â Àç»ý¿¡³ÊÁöÀÇ ´ëÇ¥ ¿¡³ÊÁö·Î Plasma-ThermÀº žçÀüÁö etch ¹× PECVD Á¦Ç°°ø±Þ¿¡ Âü¿©Çϰí ÀÖ½À´Ï´Ù.

Plasma-Therm Àåºñ´Â ¿þÀÌÆÛ ±Ô¸ðÀÇ Å¾籤(PV) ¹× ÁýÁß Å¾籤(CPV) ¹æ½ÄÀÇ ÀüÁö»ý»ê¿¡ ¼ö³â°£ »ç¿ëµÇ¾î ¿Ô½À´Ï´Ù. Silicon oxide and nitride deposition »Ó¸¸ ¾Æ´Ï¶ó °Ô¸£¸¶´½(Ge) etching, gallium arsenide (GaAs) etching, µµÇÎ ¹× Áø¼º ½Ç¸®ÄÜ, ºñÁ¤Áú ½Ç¸®ÄÜ È¤Àº ¸¶ÀÌÅ©·Î °áÁ¤ ½Ç¸®ÄÜÀ» Æ÷ÇÔÇÑ Å¾籤 ½ÃÀå¿¡ Á¦Ç°À» °ø±ÞÇϰí ÀÖ½À´Ï´Ù.

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  • È­ÇÕ¹° ž籤 device etchingºÐ¾ß¿¡¼­ ÇÁ·ÎÆÄÀÏ Á¦¾î¸¦ À¯ÁöÇϸ鼭 ³ôÀº etch rate¸¦ ³ªÅ¸³¿
          - Ge
          - III-V materials

  • R&D ¹× »ý»ê¶óÀÎDeposition
          - ºñÁ¤Áú ½Ç¸®ÄÜ(Amorphous silicon)
          - µµÇÎµÈ ½Ç¸®ÄÜ(Doped)
          - Áø¼º ½Ç¸®ÄÜ(Intrinsic)
          - Silicon Oxide
          - Silicon Nitride
          - ¹Ý ¹Ý»çÄÚÆÃ

Á¦Ç°

 

¹®ÀÇ»çÇ×À̳ª Á¤º¸°¡ ÇÊ¿äÇϽøé email: information@plasmatherm.com À̳ª ÀüÈ­+1.727.577.4999·Î ¿¬¶ôÁֽñ⠹ٶø´Ï´Ù.